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Artigo revisa o uso da implantação iônica para modificar as propriedades do óxido de gálio

sexta-feira, 14 de abril de 2023 10:46

A implantação iônica é um processo de modificação de superfícies no qual íons de um material são implantados em outro material cujas propriedades se deseja modificar.

O processo consiste em acelerar íons até atingirem energias muito altas e direcioná-los ao material-alvo, penetrando na sua superfície.

Dessa forma, as propriedades do material são impactadas, tanto por causa das colisões dos íons com os outros átomos, quanto pela introdução de um elemento estranho no material, mesmo que em quantidades muito pequenas.

Realizada em temperaturas relativamente baixas, a implantação iônica é amplamente usada há uns 50 anos na fabricação de dispositivos eletrônicos baseados em silício.

Mas a técnica promete continuar trazendo avanços à eletrônica ao modificar o óxido de gálio, um semicondutor que vem despontando como o principal candidato para a eletrônica e optoeletrônica do futuro. De fato, o material se destaca pela eficiência na geração e uso de energia elétrica.

Em um artigo de revisão abrangente, uma equipe internacional com pesquisadores do Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS, participantes do Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies, revisou o uso desse processo para modificar as propriedades do óxido de gálio, bem como as suas aplicações tecnológicas potenciais.

O “review” também aborda as técnicas experimentais e computacionais que podem ser usadas para estudar as propriedades do semicondutor após o tratamento.

O artigo foi publicado em 2021 e, até o momento, reúne 20 citações em outros artigos científicos. Pode ser acessado no Journal of Vacuum Science & Technology A: https://doi.org/10.1116/6.0000928.

Fonte: Gerência de Comunicação do Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies